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[发明专利]基板处理方法、基板处理液以及基板处理装置-CN201811113448.9在审
发明人：佐佐木悠太;塙洋祐 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理方法、基板处理液以及基板处理装置，所述基板处理方法为进行基板的图案形成面的干燥处理的基板处理方法，包括：供给工序，向所述基板的图案形成面供给包含熔融状态的柔粘性结晶材料的基板处理液
基板处理结晶材料基板处理液结晶状态基板处理装置图案形成面图案形成结晶层基板干燥处理供给工序气体状态熔融状态形成工序液体状态状态变化

[发明专利]基板处理装置、基板处理设备以及基板处理方法-CN202011145117.0在审
发明人：朴仁煌;金成弼;金局生;金耿民 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本记载涉及基板处理装置、基板处理设备以及基板处理方法。基板处理装置包括：旋转单元，支承基板，并使基板旋转；药液喷出单元，向所述旋转单元喷出药液；药液回收单元，与所述旋转单元相邻设置，并回收从所述旋转单元飞散的药液；升降单元，与所述药液回收单元结合，并使所述药液回收单元能够相对于所述旋转单元沿上下方向移动
处理装置设备以及方法

[发明专利]基板处理设备、基板处理装备、及基板处理方法-CN202211097366.6在审
发明人：郑星哲;韩相福 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理设备、基板处理装备、及基板处理方法。一种用于处理基板的设备包括多个热处理腔室及多个传感器，所述多个传感器判定所述多个热处理腔室是否安装。所述多个传感器的数目对应于所述多个热处理腔室的数目。所述多个传感器是B型接触式传感器。
处理设备装备方法

[发明专利]基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置-CN202310109948.X在审
发明人：田中友耶;尾辻正幸;田中孝佳 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C09D5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的干燥性能且能够良好地去除附着于基板表面的液体的基板处理液、基板处理方法以及基板处理装置。在本发明中，基板处理液具备升华性物质、溶解所述升华性物质的溶剂、以及助剂，所述助剂通过添加至用所述溶剂溶解所述升华性物质所得的溶液中，从而使超过溶解度的所述升华性物质的粒子分散于所述溶液中。因此，在基板处理液中超过溶解度的升华性物质的粒子均匀地分散并溶解于溶剂中。因此，向基板的图案形成面供给的升华性物质比现有技术多，在图案的内部存在大量的升华性物质(固相)。
处理方法以及装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和基板处理程序-CN200610058060.4有效
发明人：大塚庆崇;中满孝志 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，第一和第二基板搬运部(84A、84B)一起保持基板(G)进行搬运的区间，不是从搬入位置到搬出位置的全部搬运区间，而是从涂敷开始位置到涂敷结束位置的中间区间。第一基板搬运部(84A)当将基板(G_i)搬运到涂敷结束位置时，结束对该基板(G)的搬运目的，直接返回到搬入位置，开始后续新基板(G_i+1)的搬运。此外，第二基板搬运部(84B)单独将基板(G_i)从涂敷结束位置搬运到搬出位置，接着从搬入位置返回到面前的涂敷开始位置，等待第一基板搬运部(84A)单独将下一块基板(G_{i+本发明能大幅缩短以无旋转方式将处理液供给或涂敷在被处理基板上的处理工作的间歇时间。}
处理装置方法程序

[发明专利]基板处理方法、基板处理液及基板处理装置-CN201880042458.X在审
发明人：佐佐木悠太 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理液及基板处理装置，所述基板处理方法可抑制图案的倒塌并且削减用于基板干燥的升华性物质的使用量。本发明的基板处理方法包括以下步骤：基板处理液供给步骤S13，其对基板的图案形成面供给基板处理液；凝固步骤S14，其使基板处理液在图案形成面上凝固而形成凝固体；及升华步骤S15，其使凝固体升华而从图案形成面去除；且作为基板处理液，使用以下处理液：其包含熔解状态的升华性物质与溶剂，升华性物质的凝固点高于溶剂的凝固点，且在使升华性物质与溶剂分离的情况下，密度大于基板处理液的升华性物质沉淀；凝固步骤S14中，于在基板处理液供给步骤S13中供给到图案形成面的基板处理液中，使升华性物质分离并沉淀，并使沉淀的升华性物质以成为与图案同等以上的高度的方式凝固。
基板处理液升华性物质基板处理图案形成面供给步骤凝固步骤图案形成处理液凝固点凝固体溶剂沉淀凝固基板处理装置图案升华供给基板溶剂分离沉淀的对基板基板熔解去除倒塌削减

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法-CN202310268283.7在审
发明人：林航之介;樋口晃一 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法，能够抑制因新飞散的处理液碰撞到留在杯体内壁面的处理液所引起的雾的产生，防止所述雾附着于基板。本发明的基板处理装置包括：保持部，保持基板；驱动部，设于保持部，使基板与所述保持部一同旋转；供给部，为了对基板进行处理而对基板的被处理面供给处理液；第一杯体，以包围基板的方式而设；第二杯体，以包围第一杯体的方式而设，且内壁面的性质与第一杯体不同；以及移动控制部，使第一杯体以及第二杯体移动，使第一杯体的内壁面或第二杯体的内壁面的其中一者承接从基板飞散的处理液。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法-CN200710106399.1有效
发明人：城户秀作 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2007-05-28 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，能够适当地进行药液溶解回流处理及其后的第三除去处理(主要为再显影处理)。基板处理装置(100)一体地具有：搬送所述基板的基板搬送机构(12)；用于对配置在处理单元配置区域(3)中、对基板实施药液处理的药液处理单元；以及配置在处理单元配置区域(4)中、对基板实施气体氛围处理的其他氛围处理单元
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置-CN201780057069.X有效
发明人：中井仁司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明能够除去因浸液处理的执行而附着在与基板的下表面接近或分离的可动构件的液体。本发明的基板处理方法包括：第一工序，在使能够在接近位置与分离位置之间移动的可动构件位于接近位置的状态下，对以第一速度旋转的基板的上表面供给第一液体，该接近位置是接近基板的下表面的位置，该分离位置是比接近位置更远离基板的下表面的位置；第二工序，在使基板的旋转速度减速为小于第一速度且为0以上的第二速度的状态下，对基板的上表面供给第一液体；以及第三工序，在使可动构件位于分离位置的状态下，使可动构件以比第二速度快的第三速度旋转。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法-CN201710098856.0在审
发明人：宫胜彦 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在基板表面使溶剂成分从含有升华性物质的溶液中蒸发之后使升华性物质升华的基板处理技术中，能够用较短的节拍时间且出色的能源利用效率来进行处理的技术。基板处理装置具有第一腔室；液膜形成部，其在第一腔室内并在基板的表面形成含有升华性物质的溶液的液膜(P)，该升华性物质具有升华性；第二腔室(30)，其接受形成有液膜(P)的基板(W)；板部(311)，其设于第二腔室(30)内，基板(W)能够被放置于该板部(311)的上表面；温度控制部(312、335)，其控制板部的上表面升温到规定温度；加热部(322)，其在被放置于板部(311)的基板(W)上方，对从溶液析出的升华性物质进行加热
处理装置系统方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法-CN201910393352.0在审
发明人：村元僚;高桥光和 -专利权人：株式会社思可林集团
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种处理基板的基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持，在第二位置由基板保持部保持，并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言，通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构，在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下，经由相向构件开口向基板供给第一处理液，第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置然后，第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。
基板处理装置处理液喷嘴处理液供给位置相向处理液供给部基板处理系统基板保持部处理基板基板处理基板供给退避位置开口喷嘴移动机构被保持部第二位置第一位置混合液移动

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统-CN202010363048.4在审
发明人：安俊建;李廷焕;权五烈;朴修永;梁承太 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：涉及一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。用于处理基板的方法包括：第一处理操作，其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域，来处理所述基板的所述边缘区域；以及第二处理操作，其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域来处理所述边缘区域
处理方法装置系统

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法-CN202010482294.1在审
发明人：岩田敬次;森田明;高桥朋宏;枝光建治;杉冈真治 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。本发明的课题在于根据处理的进展来调节处理液的循环流量。基板处理装置(1)具有：处理槽(11)，其使基板W浸渍于处理液；溢流槽(12)，其对从处理槽溢出的处理液进行回收；循环配管(13)，其将处理槽(11)与溢流槽(12)连接而使处理液循环；旁通配管(20)，其绕过设置于循环配管(13)的管线上加热器(16)和过滤器(17)而与循环配管(13)并行地连接；和开闭阀(21)，其对旁通配管(20)进行开闭，在硅浓度增高的蚀刻初期等将开闭阀(21)打开，使处理槽(11)中的处理液的流量增加。
处理装置系统方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法-CN202010074294.8在审
发明人：林圣人;野口耕平;东广大;绪方诚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法。使光学检测供向基板供给的流体流通的供给路径中的异物的基板处理装置小型化。基板处理装置包括：供给路径，其供向基板供给的流体流通；以及异物检测单元，所述供给路径的局部构成流路形成部，该异物检测单元利用投光部形成有朝向该流路形成部的光，作为其结果，自所述流路形成部发出光，该异物检测单元能够基于受光部接收自所述流路形成部发出的光而得到的信号来检测所述流体中的异物
处理装置系统以及方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法-CN201980058138.8在审
发明人：桥本光治;清水进二;堀口博司;山本真弘 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，减少在进行基板处理的装置、系统以及方法中使用的数据量。为了达到上述目的，基板处理装置具有：一个以上的处理单元，对基板进行处理；以及一个以上的运算处理部。一个以上的运算处理部通过使用以分别规定与在一个以上的处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，来制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程。多个处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
处理装置系统以及方法

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